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RF6C055BCTCR

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -5,5A; Idm: -18A; 1W


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RF6C055BCTCR
Référence TME:
RF6C055BCTCR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-5,5A
Courant du drain dans l'impulsion
-18A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
SOT363T
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
25,8mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
15,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RF6C055BCTCR
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