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RF6E045AJTCR

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 4,5A; Idm: 18A; 1W; SOT363T


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RF6E045AJTCR
Référence TME:
RF6E045AJTCR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
4,5A
Courant du drain dans l'impulsion
18A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
SOT363T
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
23,7mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
8,1nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RF6E045AJTCR
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