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RGS60TS65DHRC11

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGS60TS65DHRC11
Référence TME:
RGS60TS65DHRC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
111W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
90A
Montage
THT
Charge d'entrée
36nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
46ns
Temps d'extinction
290ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.77 g
Certificates
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RGS60TS65DHRC11
405 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 7.78 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 7.78 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 5.17 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 5.17 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 4.60 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 4.60 USD
Prix net pour les quantités de 90 pcs - 4.06 USDPrix brut pour les quantités de 90 pcs - 4.06 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 4.01 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 4.01 USD
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcsCarton = 450 pcs