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RGS80TSX2DHRC11

Transistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 277W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGS80TSX2DHRC11
Référence TME:
RGS80TSX2DHRC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
277W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
104nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
89ns
Temps d'extinction
629ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates
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RGS80TSX2DHRC11
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