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RGT16NL65DGTL

Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGT16NL65DGTL
Référence TME:
RGT16NL65DGTL

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
8A
Puissance de dissipation
47W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
24A
Montage
SMD
Charge d'entrée
21nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
27ns
Temps d'extinction
170ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates

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RGT16NL65DGTL
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