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RGT30NL65DGTL

Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGT30NL65DGTL
Référence TME:
RGT30NL65DGTL

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
15A
Puissance de dissipation
66W
Boîtier
TO263
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
45A
Montage
SMD
Charge d'entrée
32nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
40ns
Temps d'extinction
204ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates

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RGT30NL65DGTL
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