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RGT40NS65DGTL

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 70W; LPDS

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGT40NS65DGTL
Référence TME:
RGT40NS65DGTL

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
70W
Boîtier
LPDS
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
60A
Montage
SMD
Charge d'entrée
40nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
51ns
Temps d'extinction
204ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates

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RGT40NS65DGTL
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