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RGT50NS65DGC9

Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGT50NS65DGC9
Référence TME:
RGT50NS65DGC9

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
25A
Puissance de dissipation
97W
Boîtier
TO262
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
75A
Montage
THT
Charge d'entrée
49nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
65ns
Temps d'extinction
210ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates

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RGT50NS65DGC9
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