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RGT8BM65DTL

Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGT8BM65DTL
Référence TME:
RGT8BM65DTL

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
8A
Puissance de dissipation
31W
Boîtier
TO252
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
12A
Montage
SMD
Charge d'entrée
13,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
54ns
Temps d'extinction
158ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates

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RGT8BM65DTL
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