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RGTH40TS65DGC11

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGTH40TS65DGC11
Référence TME:
RGTH40TS65DGC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
72W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
Montage
THT
Charge d'entrée
40nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
47ns
Temps d'extinction
141ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates
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RGTH40TS65DGC11
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