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RGTV60TK65DGVC11

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 38W; TO3PFM


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGTV60TK65DGVC11
Référence TME:
RGTV60TK65DGVC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
38W
Boîtier
TO3PFM
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
64nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
45ns
Temps d'extinction
201ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates
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RGTV60TK65DGVC11
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