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RGTVX6TS65GC11

Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGTVX6TS65GC11
Référence TME:
RGTVX6TS65GC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
80A
Puissance de dissipation
202W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
320A
Montage
THT
Charge d'entrée
171nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
83ns
Temps d'extinction
298ns
Poids brut5 g
Certificates
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RGTVX6TS65GC11
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