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RGWX5TS65DGC11

Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RGWX5TS65DGC11
Référence TME:
RGWX5TS65DGC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
174W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
213nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
93ns
Temps d'extinction
305ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates
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RGWX5TS65DGC11
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