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RQ3C150BCTB

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -37A; Idm: -60A; 20W; HSMT8

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RQ3C150BCTB
Référence TME:
RQ3C150BCTB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-37A
Courant du drain dans l'impulsion
-60A
Puissance de dissipation
20W
Boîtier
HSMT8
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
14mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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RQ3C150BCTB
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