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RQ3E075ATTB

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RQ3E075ATTB
Référence TME:
RQ3E075ATTB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-18A
Courant du drain dans l'impulsion
-30A
Puissance de dissipation
15W
Boîtier
HSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
33mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
21nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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RQ3E075ATTB
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