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RQ3E100BNTB

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RQ3E100BNTB
Référence TME:
RQ3E100BNTB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
21A
Courant du drain dans l'impulsion
40A
Puissance de dissipation
15W
Boîtier
HSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
15,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
22nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.052 g
Certificates

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RQ3E100BNTB
6 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs