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RQ3E120ATTB

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RQ3E120ATTB
Référence TME:
RQ3E120ATTB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-39A
Courant du drain dans l'impulsion
-48A
Puissance de dissipation
20W
Boîtier
HSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
11,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
62nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.052 g
Certificates

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RQ3E120ATTB
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs