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RQ3E130BNTB

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 39A; Idm: 52A; 16W; HSMT8

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RQ3E130BNTB
Référence TME:
RQ3E130BNTB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
39A
Courant du drain dans l'impulsion
52A
Puissance de dissipation
16W
Boîtier
HSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
9,4mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
36nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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RQ3E130BNTB
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