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RS1E150GNTB

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RS1E150GNTB
Référence TME:
RS1E150GNTB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
40A
Courant du drain dans l'impulsion
60A
Puissance de dissipation
22W
Boîtier
HSOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
13,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
10nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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RS1E150GNTB
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