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RS1E301GNTB1

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RS1E301GNTB1
Référence TME:
RS1E301GNTB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
80A
Courant du drain dans l'impulsion
120A
Puissance de dissipation
33W
Boîtier
HSOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
3,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
39,8nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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RS1E301GNTB1
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