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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	80A
Courant du drain dans l'impulsion	140A
Puissance de dissipation	35W
Boîtier	HSOP8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	185nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

RS1E350BNTB

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8

Spécification

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