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RS3E180ATTB1

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -18A; Idm: -72A; 2W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RS3E180ATTB1
Référence TME:
RS3E180ATTB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-18A
Courant du drain dans l'impulsion
-72A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
6,1mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
160nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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RS3E180ATTB1
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