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RU1J002YNTCL

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 50V; 200mA; Idm: 0,8A; 150mW; ESD


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RU1J002YNTCL
Référence TME:
RU1J002YNTCL

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
50V
Courant du drain
0,2A
Courant du drain dans l'impulsion
0,8A
Puissance de dissipation
0,15W
Boîtier
SOT323F
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
3,8Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.016 g
Certificates

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RU1J002YNTCL
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