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RV2C010UNT2L

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 20V; 1A; Idm: 2A; 400mW; DFN1006-3

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RV2C010UNT2L
Référence TME:
RV2C010UNT2L

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
1A
Courant du drain dans l'impulsion
2A
Puissance de dissipation
0,4W
Boîtier
DFN1006-3
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
1,05Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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RV2C010UNT2L
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