SCT018H65G3AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCT018H65G3AG
Référence TME:
SCT018H65G3AG
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 55A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 312A | |
Puissance de dissipation | 385W | |
Boîtier | H2PAK7 | |
Tension entrée-source | -10...22V | |
Résistance en état de conduction | 27mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 79,4nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | sortie Kelvin |
Poids brut1 g
Certificates
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* SCT018H65G3AGNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 18.17 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 18.17 USD