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SCT027W65G3-4AG

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCT027W65G3-4AG
Référence TME:
SCT027W65G3-4AG

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
60A
Courant du drain dans l'impulsion
264A
Puissance de dissipation
313W
Boîtier
HIP247-4
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
39,3mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
51nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Utilisation
industrie automobile
Poids brut5 g
Certificates
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SCT027W65G3-4AG
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