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SCT040H120G3AG

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 40A; Idm: 156A; 300W


Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCT040H120G3AG
Référence TME:
SCT040H120G3AG

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
40A
Courant du drain dans l'impulsion
156A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
H2PAK7
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
54mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
54nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Utilisation
industrie automobile
Poids brut1 g
Certificates
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SCT040H120G3AG
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 19.48 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 19.48 USD
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Prix net pour les quantités de 250 pcs - 16.24 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 16.24 USD
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