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SCT040HU65G3AG

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCT040HU65G3AG
Référence TME:
SCT040HU65G3AG

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
30A
Courant du drain dans l'impulsion
160A
Puissance de dissipation
221W
Boîtier
HU3PAK
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
63mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
39,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates
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SCT040HU65G3AG
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