SCT040W120G3AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCT040W120G3AG
Référence TME:
SCT040W120G3AG
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 40A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 179A | |
Puissance de dissipation | 312W | |
Boîtier | HIP247™ | |
Tension entrée-source | -10...22V | |
Résistance en état de conduction | 54mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 56nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Utilisation | industrie automobile |
Poids brut5 g
Certificates
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* SCT040W120G3AGNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 14.95 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 14.95 USD