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SCT070H120G3AG

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 30A; Idm: 100A; 223W


Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCT070H120G3AG
Référence TME:
SCT070H120G3AG

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
30A
Courant du drain dans l'impulsion
100A
Puissance de dissipation
223W
Boîtier
H2PAK7
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
87mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
37nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut1 g
Certificates
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SCT070H120G3AG
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 9.88 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 9.88 USD
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