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SCT070W120G3-4AG

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 30A; Idm: 116A; 236W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCT070W120G3-4AG
Référence TME:
SCT070W120G3-4AG

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
30A
Courant du drain dans l'impulsion
116A
Puissance de dissipation
236W
Boîtier
HIP247-4
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
87mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
41nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Utilisation
industrie automobile
Poids brut5 g
Certificates
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SCT070W120G3-4AG
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