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SCT1000N170

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,7kV; 7A; Idm: 20A; 96W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCT1000N170
Référence TME:
SCT1000N170

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,7kV
Courant du drain
7A
Courant du drain dans l'impulsion
20A
Puissance de dissipation
96W
Boîtier
HIP247™
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
1,3Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
13,3nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5.3 g
Certificates
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SCT1000N170
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 8.68 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 8.68 USD
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Prix net pour les quantités de 5 pcs - 7.17 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 7.17 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 6.93 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 6.93 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs