SCT10N120
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 12A; Idm: 24A; 150W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCT10N120
Référence TME:
SCT10N120
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 12A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 24A | |
Puissance de dissipation | 150W | |
Boîtier | HIP247™ | |
Tension entrée-source | -10...25V | |
Résistance en état de conduction | 690mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 22nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut5.285 g
Certificates
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs