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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	16A
Courant du drain dans l'impulsion	45A
Puissance de dissipation	153W
Boîtier	HIP247™
Tension entrée-source	-10...25V
Résistance en état de conduction	0,22Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	45nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Utilisation	industrie automobile

SCT20N120AG

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 153W

Spécification