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En savoir plus iciFabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Fabricant | ROHM SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 118A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 295A | |
Puissance de dissipation | 428W | |
Boîtier | TO247 | |
Tension entrée-source | -4...22V | |
Résistance en état de conduction | 22,1mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 172nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |