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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	93A
Courant du drain dans l'impulsion	232A
Puissance de dissipation	339W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	-4...22V
Résistance en état de conduction	28,6mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	133nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

SCT3022ALGC11

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W

Spécification