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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	39A
Puissance de dissipation	165W
Boîtier	TO247
Résistance en état de conduction	60mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

SCT3060ALGC11

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 39A; 165W; TO247

Spécification