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SCT3120ALGC11

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SCT3120ALGC11
Référence TME:
SCT3120ALGC11

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
21A
Courant du drain dans l'impulsion
52A
Puissance de dissipation
103W
Boîtier
TO247
Tension entrée-source
-4...22V
Résistance en état de conduction
156mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
38nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut3 g
Certificates
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SCT3120ALGC11
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