SCT50N120
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCT50N120
Référence TME:
SCT50N120
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC, SiCFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 50A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 130A | |
Puissance de dissipation | 318W | |
Boîtier | HIP247™ | |
Tension entrée-source | -10...25V | |
Résistance en état de conduction | 70mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 122nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut4.44 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N STMicroelectronics,
* SCT50N120Nombre de pièces (Multiplication: 1)
48 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 27.95 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 27.95 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 26.74 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 26.74 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 25.45 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 25.45 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 25.44 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 25.44 USD
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs