SCTW100N65G2AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCTW100N65G2AG
Référence TME:
SCTW100N65G2AG
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 100A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 280A | |
Puissance de dissipation | 420W | |
Boîtier | HIP247™ | |
Tension entrée-source | -10...22V | |
Résistance en état de conduction | 26mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 162nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Utilisation | industrie automobile |
Poids brut5 g
Certificates
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* SCTW100N65G2AGNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 39.46 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 39.46 USD