SCTW35N65G2V
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCTW35N65G2V
Référence TME:
SCTW35N65G2V
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 45A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 90A | |
Puissance de dissipation | 240W | |
Boîtier | HIP247™ | |
Tension entrée-source | -10...22V | |
Résistance en état de conduction | 68mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 73nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut5.38 g
Certificates
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* SCTW35N65G2VNombre de pièces (Multiplication: 1)
28 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 10.68 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 10.68 USD
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 9.31 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 9.31 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs