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SCTW70N120G2V

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 91A; Idm: 274A; 547W


Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCTW70N120G2V
Référence TME:
SCTW70N120G2V

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
91A
Courant du drain dans l'impulsion
274A
Puissance de dissipation
547W
Boîtier
HIP247™
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
30mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
150nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5 g
Certificates
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SCTW70N120G2V
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