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SCTWA30N120

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCTWA30N120
Référence TME:
SCTWA30N120

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
34A
Courant du drain dans l'impulsion
90A
Puissance de dissipation
270W
Boîtier
HIP247™
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
0,1Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
105nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6.06 g
Certificates
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SCTWA30N120
1 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 42.26 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.26 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 38.04 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 38.04 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 33.60 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 33.60 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 30.20 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 30.20 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs