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SCTWA35N65G2V-4

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCTWA35N65G2V-4
Référence TME:
SCTWA35N65G2V-4

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
45A
Courant du drain dans l'impulsion
90A
Puissance de dissipation
240W
Boîtier
HIP247-4
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
67mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
73nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut3 g
Certificates
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SCTWA35N65G2V-4
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