SCTWA40N120G2V-4
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
SCTWA40N120G2V-4
Référence TME:
SCTWA40N120G2V-4
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 36A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 107A | |
Puissance de dissipation | 277W | |
Boîtier | HIP247-4 | |
Tension entrée-source | -10...22V | |
Résistance en état de conduction | 0,1Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 61nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | sortie Kelvin |
Poids brut5 g
Certificates
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* SCTWA40N120G2V-4Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 21.04 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 21.04 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 19.72 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 19.72 USD