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SCTWA60N120G2-4

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 60A; Idm: 177A; 389W


Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
SCTWA60N120G2-4
Référence TME:
SCTWA60N120G2-4

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
60A
Courant du drain dans l'impulsion
177A
Puissance de dissipation
389W
Boîtier
HIP247-4
Tension entrée-source
-10...22V
Résistance en état de conduction
52mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
94nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut5 g
Certificates
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*
SCTWA60N120G2-4
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