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SH8J66TB1

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8J66TB1
Référence TME:
SH8J66TB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-9A
Courant du drain dans l'impulsion
-36A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
24,7mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
35nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8J66TB1
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