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SH8JB5TB1

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -40V; -8,5A; Idm: -34A; 2W; SO8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8JB5TB1
Référence TME:
SH8JB5TB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-40V
Courant du drain
-8,5A
Courant du drain dans l'impulsion
-34A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
18,7mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
51nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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