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SH8K11GZETB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 3,5A; Idm: 14A; 2W; SOP8

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8K11GZETB
Référence TME:
SH8K11GZETB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
3,5A
Courant du drain dans l'impulsion
14A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,14Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
1,9nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8K11GZETB
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