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SH8K25GZ0TB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 5,2A; Idm: 8A; 3W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8K25GZ0TB
Référence TME:
SH8K25GZ0TB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
40V
Courant du drain
5,2A
Courant du drain dans l'impulsion
8A
Puissance de dissipation
3W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
112mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
1,7nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8K25GZ0TB
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